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型号/品牌/封装

品类/描述

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价格(含税)

资料

型号: IKB10N60T

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: INFINEON IKB10N60T 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚

6023

10+

￥11.3760

100+

￥10.8072

500+

￥10.4280

1000+

￥10.4090

2000+

￥10.3332

5000+

￥10.2384

7500+

￥10.1626

10000+

￥10.1246

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型号: NGD18N45CLBT4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 500V 18A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

2145

10+

￥8.7120

100+

￥8.2764

500+

￥7.9860

1000+

￥7.9715

2000+

￥7.9134

5000+

￥7.8408

7500+

￥7.7827

10000+

￥7.7537

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型号: NGB8245NT4G

品牌: Littelfuse (力特)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

1292

5+

￥33.5088

50+

￥32.0768

200+

￥31.2749

500+

￥31.0744

1000+

￥30.8739

2500+

￥30.6448

5000+

￥30.5016

7500+

￥30.3584

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型号: NGD8201NT4

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: 点火IGBT Ignition IGBT

7240

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型号: NGD15N41ACLT4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

8055

5+

￥5.1975

25+

￥4.8125

50+

￥4.5430

100+

￥4.4275

500+

￥4.3505

2500+

￥4.2543

5000+

￥4.2158

10000+

￥4.1580

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型号: NGD8205NT4

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: 点火IGBT 20安培， 350伏特， N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK

2566

10+

￥8.1840

100+

￥7.7748

500+

￥7.5020

1000+

￥7.4884

2000+

￥7.4338

5000+

￥7.3656

7500+

￥7.3110

10000+

￥7.2838

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型号: NGD18N40ACLBT4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: ON SEMICONDUCTOR NGD18N40ACLBT4G 单晶体管, IGBT, 18 A, 1.8 V, 115 W, 400 V, TO-252, 3 引脚

8637

5+

￥6.1155

25+

￥5.6625

50+

￥5.3454

100+

￥5.2095

500+

￥5.1189

2500+

￥5.0057

5000+

￥4.9604

10000+

￥4.8924

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型号: NGB8202NT4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: 点火IGBT Ignition IGBT

4145

10+

￥9.4920

100+

￥9.0174

500+

￥8.7010

1000+

￥8.6852

2000+

￥8.6219

5000+

￥8.5428

7500+

￥8.4795

10000+

￥8.4479

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型号: NGD15N41CLT4

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: 点火IGBT 15安培， 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts

6315

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型号: NGD8201NT4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: 点火IGBT Ignition IGBT

6760

10+

￥7.2360

100+

￥6.8742

500+

￥6.6330

1000+

￥6.6209

2000+

￥6.5727

5000+

￥6.5124

7500+

￥6.4642

10000+

￥6.4400

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型号: NGB8202NT4

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: 点火IGBT Ignition IGBT

1989

10+

￥7.9080

100+

￥7.5126

500+

￥7.2490

1000+

￥7.2358

2000+

￥7.1831

5000+

￥7.1172

7500+

￥7.0645

10000+

￥7.0381

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型号: NGB18N40ACLBT4G

品牌: Littelfuse (力特)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

5347

1+

￥57.8220

10+

￥55.3080

100+

￥54.8555

250+

￥54.5035

500+

￥53.9504

1000+

￥53.6990

2500+

￥53.3471

5000+

￥53.0454

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型号: NGB8206NTF4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: 点火IGBT Ignition IGBT

7772

10+

￥9.4920

100+

￥9.0174

500+

￥8.7010

1000+

￥8.6852

2000+

￥8.6219

5000+

￥8.5428

7500+

￥8.4795

10000+

￥8.4479

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型号: NGB8206NTF4

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

4882

5+

￥4.6035

25+

￥4.2625

50+

￥4.0238

100+

￥3.9215

500+

￥3.8533

2500+

￥3.7681

5000+

￥3.7340

10000+

￥3.6828

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型号: STGB30V60DF

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin D2PAK T/R

8764

1+

￥49.1172

10+

￥46.2990

100+

￥44.2055

250+

￥43.8834

500+

￥43.5613

1000+

￥43.1990

2500+

￥42.8769

5000+

￥42.6756

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型号: AOD5B65M1

品牌: Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: AOD5B65M1 编带

9132

5+

￥2.7675

25+

￥2.5625

50+

￥2.4190

100+

￥2.3575

500+

￥2.3165

2500+

￥2.2653

5000+

￥2.2448

10000+

￥2.2140

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型号: IRG4BC20KDSTRLP

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 高达 20A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

1804

5+

￥15.9471

50+

￥15.2656

200+

￥14.8840

500+

￥14.7886

1000+

￥14.6931

2500+

￥14.5841

5000+

￥14.5160

7500+

￥14.4478

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型号: STGB19NC60HDT4

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK

1692

5+

￥15.5610

50+

￥14.8960

200+

￥14.5236

500+

￥14.4305

1000+

￥14.3374

2500+

￥14.2310

5000+

￥14.1645

7500+

￥14.0980

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型号: STGD18N40LZT4

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: STMICROELECTRONICS STGD18N40LZT4 单晶体管, IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252, 3 引脚

4131

10+

￥6.5880

100+

￥6.2586

500+

￥6.0390

1000+

￥6.0280

2000+

￥5.9841

5000+

￥5.9292

7500+

￥5.8853

10000+

￥5.8633

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型号: RGT16NS65DGTL

品牌: ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: ROHM RGT16NS65DGTL 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚

8282

5+

￥13.3263

50+

￥12.7568

200+

￥12.4379

500+

￥12.3582

1000+

￥12.2784

2500+

￥12.1873

5000+

￥12.1304

7500+

￥12.0734

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型号: ISL9V3040S3ST

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9V3040S3ST 单晶体管, IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 引脚

8553

5+

￥16.5789

50+

￥15.8704

200+

￥15.4736

500+

￥15.3745

1000+

￥15.2753

2500+

￥15.1619

5000+

￥15.0911

7500+

￥15.0202

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型号: ISL9V5036S3ST

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9V5036S3ST 单晶体管, IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 引脚

4137

5+

￥22.3470

50+

￥21.3920

200+

￥20.8572

500+

￥20.7235

1000+

￥20.5898

2500+

￥20.4370

5000+

￥20.3415

7500+

￥20.2460

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型号: STGD10HF60KD

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT管/模块 STGD10HF60KD DPAK

7587

5+

￥13.2678

50+

￥12.7008

200+

￥12.3833

500+

￥12.3039

1000+

￥12.2245

2500+

￥12.1338

5000+

￥12.0771

7500+

￥12.0204

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型号: STGB30M65DF2

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

1276

10+

￥10.0200

100+

￥9.5190

500+

￥9.1850

1000+

￥9.1683

2000+

￥9.1015

5000+

￥9.0180

7500+

￥8.9512

10000+

￥8.9178

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型号: NGD8201ANT4G

品牌: Littelfuse (力特)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: 400V,20A N沟道IGBT

4187

5+

￥3.9555

25+

￥3.6625

50+

￥3.4574

100+

￥3.3695

500+

￥3.3109

2500+

￥3.2377

5000+

￥3.2084

10000+

￥3.1644

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型号: FGY40T120SMD

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-247-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 80A 3Pin(3+Tab) Power TO-247 T/R

2804

1+

￥103.6150

10+

￥99.1100

100+

￥98.2991

250+

￥97.6684

500+

￥96.6773

1000+

￥96.2268

2500+

￥95.5961

5000+

￥95.0555

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型号: SGB15N120

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: 在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology

3778

5+

￥27.9162

50+

￥26.7232

200+

￥26.0551

500+

￥25.8881

1000+

￥25.7211

2500+

￥25.5302

5000+

￥25.4109

7500+

￥25.2916

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型号: FGB20N60SFD

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

5078

10+

￥7.2840

100+

￥6.9198

500+

￥6.6770

1000+

￥6.6649

2000+

￥6.6163

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￥6.5556

7500+

￥6.5070

10000+

￥6.4828

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型号: STGD10NC60KDT4

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-252-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

1817

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型号: ISL9V5045S3ST

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

9935

5+

￥13.8528

50+

￥13.2608

200+

￥12.9293

500+

￥12.8464

1000+

￥12.7635

2500+

￥12.6688

5000+

￥12.6096

7500+

￥12.5504

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